Корпорация Intel объявила о прорыве в эволюции транзисторов: впервые в массовом производстве вместо традиционных планарных структур будут использоваться трёхмерные.

Новая технология получила название Tri-Gate, и в «Интел» её называют революцией. Методика позволит создавать процессоры, функционирующие при меньшем напряжении и с меньшими токами утечки. В результате станет возможным дальнейшее увеличение быстродействия и повышение энергетической эффективности.

Переход от планарных структур транзисторов к объёмным позволит и дальше следовать эмпирическому закону Мура, гласящему, что число транзисторов на кристалле удваивается каждые два года.

Использовать технологию Tri-Gate планируется при изготовлении процессоров следующего поколения с кодовым именем Ivy Bridge. Изделия этой серии будут производиться по 22-нанометровой методике и получат графический контроллер с поддержкой программного интерфейса DirectX 11.

Схематичное изображение транзистора с планарной (слева) и трёхмерной структурой (иллюстрация Intel).

Intel подчёркивает, что 22-нанометровые микрочипы, выполненные по технологии Tri-Gate, обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями. При сопоставимом уровне производительности новая методика обеспечит более чем двукратный выигрыш в потребляемой мощности.

Одновременно с анонсом технологии Tri-Gate корпорация показала образцы выполненных на её основе чипов Ivy Bridge для ноутбуков, настольных компьютеров и серверов. Массовое производство таких процессоров намечено на конец года, а на рынке они, по всей видимости, дебютируют в первом квартале 2012-го.

Подготовлено по материалам Intel.